三星去年刚量产64层堆叠第四代V-NAND，而最新的第五代堆叠层数增加了一半，减少了晶圆上的物理X、Y尺寸，性能和功率更高，并首次采用Toggle DDR 4.0接口，数据传输率可达1.4Gbps，比上代提升40％。
按照三星的设想，3D堆叠闪存未来能超过200层。
三星还透露，已经首发容量达1Tb(128GB)容量的3D TLC闪存颗粒，数据传输率1.2Gbps，并支持32颗堆叠封装，从而实现4TB的单颗容量。
三星未来的PM1643系列SSD就将采用这种颗粒，最大容量能做到32TB(只需八颗芯片)，只需4U空间就能实现以往两个机柜的存储容量。
这种新硬盘将采用2.5寸规格、SAS接口，号称随机读取性能比上代产品提升2.5倍，面向数据中心企业市场。
东芝/西数日前宣布的96层堆叠QLC闪存可以做到单个封装芯片2.66TB的容量，八颗也能实现20TB以上的SSD。
此外，三星还将面向消费级市场推出QLC SSD，SATA接口，持续读写性能540MB/s、520MB/s，但具体型号、规格、时间未公布。
理论上，QLC SSD可以轻松做到5TB乃至是10TB的大容量，但首发肯定不会这么大，毕竟要考虑消费者的承受能力，不过照此趋势下去，256GB、512GB SSD明年就能遍地走了。
